ТОЧНАЯ ОБРАБОТКА НА АТОМАРНОМ УРОВНЕ

Термическое
атомно-слоевое
травление

LayerEtch — исследовательская платформа для разработки и адаптации процессов термического атомно-слоевого травления тонкоплёночных материалов. Система обеспечивает программируемую последовательность подачи реагентов и продувки инертным газом между стадиями, позволяя отрабатывать циклическую обработку поверхности без использования плазменного источника.

ПРИНЦИП РАБОТЫ THERMAL ALE
Живая схема цикла
модификация → продувка → удаление → новая поверхность
толщина
уменьшается
СТАДИЯ 1 / 4
Модификация поверхности
Первый реагент взаимодействует с поверхностью и формирует модифицированный слой.
LayerEtch Labлабораторная платформа для разработки и отработки процессов thermal ALE
до 300 °Cдоступно в текущем лабораторном прототипе; заказная конфигурация — по техническому заданию
Thermal ALEциклический газофазный процесс без обязательного применения плазменного источника
TRL 3создан и испытан функциональный лабораторный прототип
01 / ТЕХНОЛОГИЯ

Последовательные поверхностные реакции вместо непрерывного травления

Thermal ALE разделяет обработку поверхности на отдельные газофазные стадии. Реагенты подаются последовательно, а между воздействиями выполняется продувка инертным газом. Такой режим позволяет независимо настраивать стадии цикла и исследовать их вклад в удаление материала.

01

Модификация поверхности

Первый реагент взаимодействует с поверхностью и формирует модифицированный слой.

02

Продувка инертным газом

Поток инертного газа удаляет непрореагировавший реагент и летучие продукты, разделяя стадии цикла.

03

Удаление модифицированного слоя

Второй реагент переводит модифицированную поверхностную область в удаляемые продукты реакции.

04

Повторение цикла

После удаления открывается новая поверхность; число циклов задаёт суммарную степень обработки.

02 / ПРОДУКТ

LayerEtch Lab

Лабораторная платформа термического атомно-слоевого травления

Исследовательская система для разработки, отработки и адаптации процессов thermal ALE на тонкоплёночных материалах. Конфигурация платформы формируется под требования лаборатории, используемые реагенты, температурный диапазон и задачу заказчика.

▣

Поставка платформы

Реакционная камера, вакуумная система, система нагрева, линии подачи реагентов, контроль давления и программируемое управление циклом — в согласованной комплектации.

↗

Разработка процесса

Экспериментальная отработка режимов, температур, последовательности стадий и времени воздействия под выбранный материал.

⚙

Интеграция и адаптация

Модернизация существующей вакуумной инфраструктуры и подбор отдельных модулей под требования заказчика.

Реакционная система Термический вакуумный модуль

Конфигурация реакционной зоны определяется техническим заданием.

Температура 180–250 °C исследовано

Текущий лабораторный прототип допускает нагрев до 300 °C.

Газовая часть Последовательная подача реагентов

Инертный газ, дозирование прекурсоров и опциональная линия окислителя.

Управление Программируемый цикл

Настройка длительности стадий, повторов и контроля параметров процесса.

03 / ПРИМЕНЕНИЕ

Для лабораторий, которые разрабатывают новые процессы и материалы

Платформа ориентирована на исследовательские задачи, где требуется гибкая работа с тонкими плёнками, новыми реагентами и нестандартными технологическими режимами.

Микро- и наноэлектроника

Отработка процессов обработки функциональных слоёв и тестовых структур.

Тонкие плёнки

Исследование контролируемого изменения толщины и состояния поверхности.

Оксидные материалы

Разработка химических циклов для селективной обработки оксидных поверхностей.

Контрактные R&D

Тестирование реагентов, обработка образцов и подбор технологического режима по ТЗ.

04 / О ПРОЕКТЕ

От лабораторного прототипа к исследовательскому продукту

LayerEtch — технологический проект ООО «АСТ ТТ». В рамках проекта создан функциональный лабораторный прототип, проведены испытания на тонких плёнках ZnO и сформирована база для дальнейшей стандартизации и изготовления платформы под требования заказчика.

Полное наименование проекта: «Разработка технологической платформы термического атомно-слоевого травления для микро- и наноэлектроники».

КомпанияООО «АСТ ТТ»
СтадияФункциональный лабораторный прототип
Патентная заявка№ 2026128565
Дата поступления18.09.2026
ИКР626092500026-0
TRL3

Работа выполнена при поддержке гранта Фонда содействия инновациям, предоставленного в рамках программы «Студенческий стартап» федерального проекта «Платформа университетского технологического предпринимательства».

05 / КОНТАКТЫ

Обсудим вашу технологическую задачу

Запрос на лабораторную платформу, разработку процесса, обработку тестовых образцов или адаптацию конфигурации можно направить по электронной почте.

E-mail umahan.damurov@gmail.com
ООО «АСТ ТТ»
ООО «АСТ ТЕХНОЛОГИИ ТРАВЛЕНИЯ»